لقد حصل هاتفك الذكي المستقبلي على أداء كبير وزيادة للبطارية

تقوم TSMC بخطوات كبيرة نحو عقدة عملية 2NM من الجيل التالي والطلب الصناعي يتجاوز بالفعل التوقعات. على الرغم من أن الإنتاج الضخم لم يكن من المقرر أن يبدأ حتى أواخر عام 2025 ، إلا أن تقريرًا من Outlet Ctee التايواني يكشف أن صانعي الرقائق مثل Apple و Nvidia و AMD و Qualcomm و Mediatek و Broadcom يصطفون بالفعل للوصول المبكر ، مما يشير إلى مدى أهمية هذه التكنولوجيا في الأجهزة المستقبلية.

تشير الشائعات إلى أن Apple لديها تخطط لتبني رقائق 2NM لتشكيلة iPhone 18 في عام 2026 ، بينما تقترب NVIDIA من الانتقال بشكل أكثر تحفظًا حيث من المتوقع أن تظل منصة الجيل التالي في عقدة 3NM.

ما يجعل عقدة 2NM فريدة من نوعها هو استخدام بنية الترانزستور البوابة (GAA) ، وهي عملية خروج عن تصميم Finfet الذي كان معيار الصناعة لأجيال رقاقة متعددة. يقال إن GAA يوفر تحكمًا أفضل في التدفق الحالي والتسربات مما يؤدي إلى أداء أعلى بنسبة 15 ٪ واستهلاك الطاقة أقل بنسبة 30 ٪.

وبحسب ما ورد دخلت الشركة الإنتاج التجريبي لعملية 2NM في مصنع التصنيع في باوشان ، Hsinchu ، مع الإنتاج الضخم للربع الرابع 2025 والإنتاج الشهري الأولي البالغ 30،000 رقائق. من المتوقع أن تبدأ منشأة تصنيع أخرى في Kaohsiung الإنتاج الضخم في الربع الأول من عام 2026 بنفس السعة الشهرية. بحلول عام 2027 ، تخطط TSMC لإجمالي إجمالي 2NM عبر موقعه إلى 120،000 – 130،000 رقائق شهريًا ، وربما تصل إلى 50000 بحلول نهاية 2025 و 80،000 إذا تقدم التحجيم بسلاسة.

تقوم TSMC أيضًا بتسريع التوسع في أربعة من القوات المسلحة البوروندية في باوشان وثلاثة في نانزي ، كاوسيونج ، مع استثمار أكثر من 1.5 تريليون دولار (حوالي 50 مليار دولار أمريكي) لبناء أكبر محور أشباه الموصلات في العالم. أثناء وجوده في الولايات المتحدة ، ستقدم منشأة TSMC في أريزونا عمليات 2NM و 1.6NM (A16) في المستقبل بحلول عام 2028.

يشير الطلب المبكر القوي إلى أن رقائق 2NM يمكن أن تهيمن على الأجهزة الممتازة من الدرجة الأولى التي تبدأ في أواخر عام 2025 وما بعدها. على الرغم من أن الأمر قد يستغرق بعض الوقت لتصفية التكنولوجيا في منتجات متوسطة المدى ، إلا أن المستهلكين يمكن أن يتوقعوا مكاسب كبيرة في الأداء والكفاءة من الأجهزة التي تعمل بالسيليكون 2NM.