كشف الإصدار الجديد 9.33 لمحاكي تطوير البرمجيات (SDE) من إنتل، عن تفاصيل مثيرة للاهتمام تتعلق بحجم ذاكرة التخزين المخبأة من المستوى الثالث (L3) في معالجات Xeon Granite Rapids من الجيل السادس.
يُظهر محاكي تطوير البرمجيات من إنتل أن سلسلة معالجات Xeon Granite Rapids ستحتوي الآن على ذاكرة التخزين المخبأة من المستوى الثالث بحجم قدره 480 ميجابايت، مقارنة بحجم قدره 320 ميجابايت مع سلسلة معالجات Xeon Emerald Rapids من الجيل الخامس.
يلاحظ تركيز إنتل على زيادة حجم ذاكرة التخزين المخبأة من المستوى الثالث بداية مع معالجات Xeon Sapphire Rapids من الجيل الرابع والتي كانت تأتي بحجم قدره 112.5 ميجابايت، ومع الجيل الخامس وصلت إلى حجم قدره 320 ميجابايت مع الجيل الخامس بنسبة تصل إلى 184%.
تساهم الزيادة في حجم ذاكرة التخزين المخبأة من المستوى الثالث بتحسين مستوى الأداء على صعيد الذكاء الاصطناعي، ومراكز البيانات، وتشفير الفيديو، إلخ. وهذا الفرق لوحظ في المعالج المركزي Xeon Platinum 8592 من الجيل الخامس الذي حقق قفزة جيدة في الأداء مقارنة بالجيل الرابع.
كما أن هذه الزيادة في حجم ذاكرة التخزين المخبأة من المستوى الثالث مع معالجات Xeon Granite Rapids ستساهم في تحسين الأداء بكل تأكيد. تجدر الإشارة إلى أن ذاكرة التخزين المخبأة من المستوى الثالث هي ذاكرة مشتركة مع كل نويات المعالج المركزي، بعكس ذاكرة التخزين المخبأة من المستوى الأول (L1) التي تكون مشتركة مع بعض نويات المعالج المركزي.
أخيرًا، يتوقع أن تطلق إنتل سلسلة معالجات Xeon Granite Rapids من الجيل السادس في هذا العام بدقة تصنيع قدرها 3 نانومتر.
تابعنا
