يبدو أن شركة SK Hynix قد قررت رسميًا الدخول في سباق إنتاج ذاكرة عرض النطاق الترددي العالي من الجيل التالي HBM4 لتنافس الآن كلًا من شركتي سامسونج وميكرون اللتين حددتا المدة الزمنية لبدء مرحلة الإنتاج بين عام 2025 و 2026.
وفي معرض SEMICON Korea 2024 كشف كيم تشون هوان، نائب رئيس شركة SK Hynix، عن نية الشركة بدء الإنتاج الضخم لذاكرة الجيل التالي HBM4 في عام 2026، مدعيًا أن ذلك سيؤدي إلى نموٍ هائل في أسواق الذكاء الاصطناعي. كما أكد أن دخول مرحلة الإنتاج الضخم لذاكرة HBM3E سيبدأ في هذا العام.
ويعتقد هوان أنه بالإضافة إلى التحول باتجاه الجيل التالي من ذاكرة HBM4، من المهم إدراك أن سوق ذاكرة HBM يشهد إقبالًا هائلًا من مختلف الشركات الصانعة. ويعتقد كيم أن سوق ذاكرة HBM يمكن أن ينمو بنسبة تصل إلى 40% في عام 2025.
ومع الزيادة السريعة في اعتماد مزايا الذكاء الاصطناعي في الأسواق، تتزايد الحاجة إلى قوة حوسبية متطورة وبقدرات هائلة. ومن المهم ملاحظة أن ذاكرة HBM تؤدي دورًا حيويًا في كيفية تحسين حوسبة الذكاء الاصطناعي مع اعتمادها في البطاقات الرسومية والمعالجات المركزية المستندة إلى تصميم حزمة متعددة الرقاقات (Chiplets).
وتتوقع خارطة طريق شاركتها مجموعة أبحاث Trendforce أن تأتي أولى العينات من ذاكرة HBM4 بحجم قدره 36 جيجابايت لكل حزمة، ومن المتوقع إصدار المواصفات الرسمية في النصف الثاني من عام 2024 وعام 2025 من قبل منظمة JEDEC المتخصصة عالميًا في تطوير معايير صناعة الإلكترونيات الدقيقة.
كما أنه من المتوقع وصول أولى العينات المخصصة للعملاء في عام 2026، لذلك لا يزال هناك الكثير من الوقت قبل أن نرى المنتجات المخصصة للذكاء الاصطناعي الجديدة تعتمد كليًا على ذاكرة عرض النطاق الترددي العالي HBM4.
تابعنا
