تخطو سامسونج خطوة أبعد من منافسيها في سوق شرائح الذكاء الاصطناعي المزدهر من خلال إعلانها تطوير شريحة ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية ذات النطاق الترددي العالي HBM3E 12H DRAM مع تقنية TC NCF المتقدمة.
وتستهلك شريحة ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية ذات النطاق الترددي العالي قدرًا منخفضًا من الطاقة مع ممرات اتصال واسعة للغاية، وذلك باستخدام شرائح ذاكرة مكدسة رأسيًا لمنع اختناقات المعالجة التي تسببها شرائح الذاكرة التقليدية.
وتشير TC NCF إلى الطبقة غير الموصلة للضغط الحراري، أي المادة الموضوعة بين الطبقات ضمن الرقاقات المكدسة.
وتوفر TC NCF خصائص حرارية محسنة للمساعدة في تحسين التبريد، كما أن الطريقة المستخدمة في HBM3E 12H DRAM الجديدة تعمل أيضًا على تحسين الإنتاجية.
وأوضحت الشركة أنها بدأت بتقديم عينات من HBM3E 12H للعملاء، ومن المقرر أن يبدأ الإنتاج الضخم في النصف الأول من هذا العام.
وقال باي يونج تشيول، نائب الرئيس التنفيذي لتخطيط منتجات الذاكرة في سامسونج: “يتطلب مقدمو خدمات الذكاء الاصطناعي شرائح ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية ذات النطاق الترددي العالي، وقد صممنا HBM3E 12H لتلبية هذه الحاجة”.
وتأتي الشريحة الجديدة هذه بصفتها جزءًا من توجه سامسونج نحو تطوير التقنيات الأساسية وتوفير الريادة التكنولوجية لسوق شرائح ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية ذات النطاق الترددي العالي في عصر الذكاء الاصطناعي.
وقالت سامسونج إنه في ضوء النمو المتسارع لسوق الذكاء الاصطناعي، فإن شريحة ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية ذات النطاق الترددي العالي قد تكون الحل الأمثل للأنظمة المستقبلية التي تتطلب ذاكرة إضافية.
وتشير التقديرات إلى أنه يمكن زيادة متوسط سرعة تدريب الذكاء الاصطناعي بمقدار 34 في المئة عند استخدام HBM3E 12H في تطبيقات الذكاء الاصطناعي مقارنةً بشريحة HBM3 8H، مع زيادة عدد المستخدمين المتزامنين لخدمات الاستدلال أكثر من 11.5 مرة .
وقالت سامسونج إن أداء الشريحة وقدراتها تسمحان للعملاء بإدارة الموارد بطريقة مرنة مع تقليل التكلفة الإجمالية لملكية مراكز البيانات.
وتوفر HBM3E 12H نطاقًا تردديًا عاليًا يصل إلى 1280 جيجابايت في الثانية مع سعة قدرها 36 جيجابايت، وتحسن HBM3E 12H النطاق الترددي والسعة بمقدار 50 في المئة مقارنةً بشريحة HBM3 8H.